Infineon DF80R12W2H3F_B11

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Módulo IGBT Infineon DF80R12W2H3F_B11 – Alta Performance e Eficiência

Procurando por um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon DF80R12W2H3F_B11, um componente de potência que combina tecnologia de ponta com confiabilidade excepcional. Descubra como essa solução inovadora pode otimizar seus projetos!

Especificações Técnicas do DF80R12W2H3F_B11

O módulo IGBT Infineon DF80R12W2H3F_B11 é a escolha ideal para aplicações que exigem alta potência e eficiência. Confira suas principais características:

  • Tecnologia de ponta: IGBT Trench/Fieldstop de alta velocidade H3 e diodo CoolSiC™ Schottky Gen 5.
  • Alta capacidade de corrente: 80A nominais e 160A de corrente de pico repetitiva (ICRM).
  • Tensão de bloqueio: 1200V.
  • Baixas perdas de comutação: garantindo maior eficiência energética e menor geração de calor.
  • Isolamento robusto: 3 kV AC 1min.
  • Sensor de temperatura NTC integrado: monitoramento preciso para maior segurança.
  • Tecnologia de substrato Al2O3: excelente dissipação térmica.
  • Design compacto: facilidade de integração em diversos projetos.
  • Conexão PressFIT: confiabilidade e simplicidade na montagem.

Aplicações do Módulo IGBT Infineon

O DF80R12W2H3F_B11 é um módulo versátil, ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Energia solar
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Conversores de frequência
  • Sistemas de acionamento de motores
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

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A Mokka Sensors oferece o módulo IGBT DF80R12W2H3F_B11 da Infineon para atender às suas necessidades. Entre em contato conosco e encontre soluções de alta qualidade para seus projetos!

Palavras-chave: Módulo IGBT, Infineon, DF80R12W2H3F_B11, CoolSiC™ Schottky diode, Trench/Fieldstop, alta velocidade, baixas perdas, eficiência energética, sensor NTC, PressFIT, Mokka Sensors.

Infineon DF80R12W2H3F_B11

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