Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 80 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 240 A |
Recursos
- Tecnologia IGBT
- Diodo de freio integrado (FWD)
- Baixa saturação de tensão (Vce(sat))
- Baixa indutância de dispersão
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do DF80R12W2H3F_B11?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do DF80R12W2H3F_B11 é de 1200V.
Em quais aplicações o DF80R12W2H3F_B11 é utilizado?
O DF80R12W2H3F_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação.
Qual o tipo de tecnologia e características principais do DF80R12W2H3F_B11?
O DF80R12W2H3F_B11 utiliza a tecnologia IGBT e possui um diodo de freio integrado (FWD), baixa saturação de tensão (Vce(sat)) e baixa indutância de dispersão.