Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 300 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo DF300R12KE3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do DF300R12KE3 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DF300R12KE3?
O DF300R12KE3 opera em uma faixa de temperatura que vai de -40 °C a +125 °C.
Quais são algumas das características do DF300R12KE3?
O DF300R12KE3 possui tecnologia IGBT 4, baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento galvânico integrado.