Infineon DF200R12KE3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 200 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Corrente nominal do diodo (If) 200 A
Tensão direta do diodo (Vf) 1.7 V (típico)
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Calxeda)
  • Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do DF200R12KE3?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do DF200R12KE3 é de 1200 V.

Em qual faixa de temperatura o DF200R12KE3 pode operar?

O DF200R12KE3 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

Quais são algumas aplicações típicas do DF200R12KE3?

As aplicações típicas do DF200R12KE3 incluem inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.

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