Módulo IGBT Infineon DF160R12W2H3F_B11
Procurando por um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? O Infineon DF160R12W2H3F_B11 é a solução ideal para você! Com tecnologia de ponta e recursos avançados, este componente oferece o desempenho e a confiabilidade que você precisa para seus projetos.
Especificações Técnicas do DF160R12W2H3F_B11:
- Tecnologia de chip IGBT Trenchstop™ 5
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 160A
- Frequência de chaveamento: 20kHz
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Diodo de roda livre ultra-rápido integrado
- Encapsulamento robusto e compacto
- Temperatura de junção máxima (Tj): 175°C
Aplicações do Módulo IGBT Infineon:
O DF160R12W2H3F_B11 é um módulo versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, como:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks)
- Sistemas de energia solar
- Condicionadores de energia
- Aquecimento por indução
- Soldagem
- Controle de motores
Benefícios do DF160R12W2H3F_B11:
Ao escolher o DF160R12W2H3F_B11, você terá acesso a diversos benefícios, como:
- Alta eficiência energética
- Excelente desempenho térmico
- Confiabilidade e durabilidade
- Redução de tamanho e peso do sistema
- Facilidade de integração
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