Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 160 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.05 K/W |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta velocidade
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de comutação
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT DF160R12W2H3F_B11 suporta?
A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo de potência DF160R12W2H3F_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais as características do diodo integrado e da tecnologia IGBT deste módulo?
O módulo DF160R12W2H3F_B11 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT de alta velocidade, além de oferecer baixas perdas de comutação.