Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 2800 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (FWD)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo IGBT DF1400R12IP4D?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o módulo DF1400R12IP4D pode operar?
O módulo pode operar em temperaturas de -40°C a +125°C.
Quais são as aplicações típicas do módulo DF1400R12IP4D?
O DF1400R12IP4D é projetado para aplicações de inversor solar e UPS. Ele possui um diodo de freio integrado (FWD) e é baseado na tecnologia IGBT 4, oferecendo alta densidade de potência.