Infineon DF1000R17IE4D_B2

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Corrente de pico do coletor (Icm) 200 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de isolamento 4000 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40°C a +150°C
Aplicações Acionamentos de motor, fontes de alimentação industriais, sistemas de energia renovável

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™)
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
  • Baixa indutância interna

FAQ

Qual a tensão coletor-emissor máxima do módulo?

A tensão coletor-emissor (Vces) do módulo Infineon DF1000R17IE4D_B2 é de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

O módulo Infineon DF1000R17IE4D_B2 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.

Quais as aplicações típicas do módulo?

As aplicações típicas do Infineon DF1000R17IE4D_B2 incluem acionamentos de motor, fontes de alimentação industriais e sistemas de energia renovável.

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