Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações industriais exigentes.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 1000 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Module |
| Aplicações | Drives de motores, inversores solares, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Proteção contra sobrecorrente e sobretemperatura
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do módulo DF1000R17IE4?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo de potência Infineon DF1000R17IE4 é de 1700 V.
Quais as aplicações típicas do módulo DF1000R17IE4?
O módulo DF1000R17IE4 é projetado para aplicações como drives de motores, inversores solares e fontes de alimentação industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo DF1000R17IE4 e quais proteções ele oferece?
A temperatura de operação do módulo DF1000R17IE4 varia de -40 °C a +125 °C. Ele oferece proteção contra sobrecorrente e sobretemperatura.