Infineon DDB6U85N16L

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia Trench IGBT 4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 85 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 10 mA
Diodo freewheeling integrado Sim
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT DDB6U85N16L?

A tensão coletor-emissor (Vces) suportada é de 1600 V.

Em qual faixa de temperatura o módulo DDB6U85N16L pode operar?

O módulo DDB6U85N16L opera na faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.

Quais as aplicações típicas do módulo DDB6U85N16L?

O DDB6U85N16L é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais.

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