Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Half-bridge |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a configuração do Infineon DDB6U75N16YR?
O módulo de potência Infineon DDB6U75N16YR possui configuração Half-bridge.
Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U75N16YR?
O DDB6U75N16YR opera em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do DDB6U75N16YR?
O Infineon DDB6U75N16YR é projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação. Ele possui um diodo de roda livre integrado e apresenta baixa perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.