Infineon DDB6U75N16W1RB11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e de energia eólica.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e de energia eólica.

Especificações

Tecnologia TrenchField IGBT4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 75 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Diodo de roda livre Rápido
Tensão de isolamento 3000 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Resistência térmica junção a-carcaça (RthJC): 0.35 K/W
Número de chaves 2
Aplicações Inversores solares, inversores de energia eólica, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão suportada pelo IGBT DDB6U75N16W1RB11?

O módulo IGBT DDB6U75N16W1RB11 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1600 V e possui tensão de isolamento de 3000 Vrms.

Quais as temperaturas de operação do DDB6U75N16W1RB11?

O DDB6U75N16W1RB11 opera em temperaturas entre -40 °C e +150 °C.

Em quais aplicações o DDB6U75N16W1RB11 pode ser utilizado?

O DDB6U75N16W1RB11 é projetado para aplicações como inversores solares, inversores de energia eólica e acionamentos de motor.

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