Descrição
Transistor IGBT de alta potência da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 50 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 50 A, 25°C: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 200 mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) típica | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) típica | 300 pF |
| Capacitância de Transferência (Cres) típica | 150 pF |
| Tempo de Subida (tr) típico | 20 ns |
| Tempo de Descida (tf) típico | 50 ns |
| Package | TO-247-3 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo DDB6U50N08XR?
O transistor IGBT DDB6U50N08XR suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U50N08XR?
O DDB6U50N08XR pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Qual o package do DDB6U50N08XR?
O DDB6U50N08XR é encapsulado em um package TO-247-3.