Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 215 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Diodo de Roda Livre | Sim |
| Corrente Contínua do Diodo (If) | 215 A |
| Corrente Pulsada do Diodo (Ifm) | 400 A |
| Tensão de Saturação do Diodo (Vf) | 1.7 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de Semipontes | 1 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT deste módulo?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) do IGBT é de 1600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon DDB6U215N16L opera entre -40°C e +150°C.
Este módulo possui diodo de roda livre integrado? Quais suas características?
Sim, o módulo possui diodo de roda livre integrado. A corrente contínua do diodo (If) é de 215 A e a corrente pulsada do diodo (Ifm) é de 400 A. A tensão de saturação do diodo (Vf) é de 1.7 V (típico).