Infineon DDB6U134N16RR

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tecnologia Trench IGBT4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 134 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga do coletor (Ic(off)) 1 mA
Temperatura de operação (Tj) -40 a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3

Recursos

  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência
  • Isolamento galvânico

FAQ

Qual a tensão máxima que o DDB6U134N16RR pode suportar?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1600 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U134N16RR?

O DDB6U134N16RR opera em temperaturas de -40 a +150 °C.

Quais são algumas das características do DDB6U134N16RR?

O DDB6U134N16RR possui um diodo de roda livre integrado, baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento galvânico.

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