Infineon DDB6U104N16R

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Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e inversores industriais.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e inversores industriais.

Especificações

Tensão Coletor Emissor (Vces): 1600 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) 104 A
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de roda livre Rápido
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de Gate Emissor (Vge): ±20 V
Corrente de Gate (Ig) 2.5 A
Temperatura de Operação (Tj) -40 °C a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3
Número de componentes 6
Aplicações Acionamento de motor, inversores industriais, fontes de alimentação

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do DDB6U104N16R?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do DDB6U104N16R é de 1600 V.

Em quais aplicações o DDB6U104N16R é tipicamente utilizado?

O DDB6U104N16R é projetado para aplicações como acionamento de motor, inversores industriais e fontes de alimentação.

Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U104N16R?

A temperatura de operação (Tj) do DDB6U104N16R varia de -40 °C a +150 °C.

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