Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 80V, 50A, com baixa resistência Rds(on) e encapsulamento TO 263.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 80 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 50 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 1.2 mΩ (a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source limiar (Vgs(th)): 2 V |
| Encapsulamento | PG-TO263-3-1 |
| Temperatura de operação | -55°C a +150°C |
| Corrente de Drain pulsada (Id,pulse) | 200 A |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC (a Vgs=10V) |
| Tempo de subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de descida (tf) | 5 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor Infineon DDB2U50N08W1RB23?
O transistor DDB2U50N08W1RB23 possui encapsulamento PG-TO263-3-1.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET DDB2U50N08W1RB23?
A temperatura de operação do DDB2U50N08W1RB23 varia de -55°C a +150°C.
Qual a tensão Drain-Source suportada pelo DDB2U50N08W1RB23?
O DDB2U50N08W1RB23 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 80 V.