Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente da Infineon, projetado para aplicações industriais exigentes.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 4500 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 800 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 1600 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +125 °C |
| Package | Module |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para confiabilidade
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo de potência?
O módulo Infineon DD800S45KL3_B5 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 4500 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo DD800S45KL3_B5?
Embora não listadas diretamente, o módulo é projetado para aplicações industriais exigentes. Suas características, como alta corrente (800A contínuos, 1600A pulsados) e tecnologia IGBT de alta performance, indicam seu uso em equipamentos que necessitam alta densidade de potência e confiabilidade.