Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação industriais.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 600 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 600A, 25°C: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) nominal | 2.5 A |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.03 K/W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | Module |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª Geração
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para confiabilidade
FAQ
Qual a tensão máxima que o módulo DD600S65K3 suporta?
O módulo DD600S65K3 da Infineon suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 650 V.
Em que faixa de temperatura o DD600S65K3 pode operar?
O módulo DD600S65K3 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40°C a +150°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do módulo DD600S65K3?
O DD600S65K3 é projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação industriais, devido à sua alta densidade de potência e baixas perdas de condução e chaveamento.