Descrição
Módulo de potência IGBT de alta tensão com diodo de freio rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 500 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 1000 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Package | Module |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores de energia, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor máxima suportada pelo módulo DD500S65K3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) máxima do módulo Infineon DD500S65K3 é de 650 V.
Em quais aplicações o módulo DD500S65K3 é comumente utilizado?
O módulo DD500S65K3 é projetado para aplicações como inversores de energia e fontes de alimentação.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo DD500S65K3?
A faixa de temperatura de operação do módulo DD500S65K3 varia de -40 °C a +150 °C.