Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações industriais exigentes.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 46 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Alta robustez contra curtos | circuitos |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta densidade de potência
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento térmico aprimorado
- Aplicações em inversores, fontes de alimentação e acionamentos de motores
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do módulo DD46S12K-K?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo Infineon DD46S12K-K é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo DD46S12K-K opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do módulo DD46S12K-K?
O módulo DD46S12K-K é ideal para aplicações em inversores, fontes de alimentação e acionamentos de motores. Além disso, possui alta robustez contra curtos-circuitos.