Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 3400 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 435 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 435A, 25°C: 2.2 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 1.5 A |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a 150°C |
| Package | H-34 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 100°C | 2500 W |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.04 K/W |
| Tempo de Comutação (tr/tf) típico | 100 ns / 150 ns |
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do IGBT DD435N34K?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) máxima é de 3400 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DD435N34K?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40°C a 150°C.
Quais as principais características de corrente do DD435N34K?
A corrente contínua de coletor (Ic) a 100°C é de 435 A, a corrente pulsada de coletor (Icm) é de 1200 A. A corrente de Gate (Ig) máxima é 1.5 A.