Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tensão de Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) | 250 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 500 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | Module |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª Geração
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Robusto e confiável para aplicações industriais
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo DD250S65K3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo Infineon DD250S65K3 é de 650 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo DD250S65K3?
O módulo DD250S65K3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do módulo DD250S65K3?
Embora não listadas explicitamente, o DD250S65K3 é um módulo de potência IGBT robusto e confiável, projetado para aplicações de conversão de energia, graças à sua alta densidade de potência e baixas perdas.