Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e acionamentos de motor.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 241 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 480 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motor, fontes de alimentação |
| Configuração | 1-IGBT |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Baixa perda de condução e comutação
- Alta confiabilidade e robustez
FAQ
Qual a tensão nominal do coletor-emissor do DD241S12K-K?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do Infineon DD241S12K-K é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência DD241S12K-K?
O módulo de potência DD241S12K-K é projetado para aplicações em inversores solares, acionamentos de motor e fontes de alimentação.
Qual a faixa de temperatura de operação do DD241S12K-K?
A temperatura de operação (Tj) do DD241S12K-K varia de -40 °C a +150 °C.