Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 4500 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freewheeling | Rápido |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motores de alta potência |
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do Infineon DD1200S45KL3_B5?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 4500 V.
Em quais faixas de temperatura o módulo DD1200S45KL3_B5 pode operar?
O módulo de potência IGBT DD1200S45KL3_B5 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do módulo de potência DD1200S45KL3_B5?
O Infineon DD1200S45KL3_B5 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e acionamentos de motores de alta potência.