Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de chaveamento rápido e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 100 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 300 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 100A, 25°C: 2.0 V |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 357 W |
| Tempo de Subida (tr) | 20 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon DD106N16K?
O transistor Infineon DD106N16K possui encapsulamento TO-247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do DD106N16K?
A temperatura de operação do DD106N16K varia de -40°C a +175°C.
O DD106N16K possui alguma proteção integrada?
Sim, o DD106N16K possui um diodo de ruptura rápida (Fast Diode) integrado.