Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de silício de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta corrente.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 12 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.1 Ohm |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 48 A |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do BUZ77A?
O BUZ77A possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ77A?
O BUZ77A pode operar em temperaturas de -55°C a 150°C.
Qual a tensão de dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do BUZ77A?
O BUZ77A possui uma tensão de dreno-fonte (Vds) de 60V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 12A.