Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor (MOSFET) de potência N Channel, projetado para aplicações de comutação de alta corrente.
Especificações
| Tipo de transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.15 Ohm |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 150 °C |
| Potência dissipada | 75 W |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC |
| Tempo de subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do BUZ73AL?
O BUZ73AL é encapsulado em TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ73AL?
A temperatura de operação do BUZ73AL varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são algumas das especificações elétricas do BUZ73AL?
O BUZ73AL é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60 V, corrente Drain contínua (Id) de 12 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.15 Ohm, e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V.