Descrição
O Infineon BUZ344 é um transistor de efeito de campo (FET) de potência de silício N channel, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 12 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.5 Ohm |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Potência Máxima de Dissipação (Pd) | 150 W |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Carga de Gate (Qg) | 30 nC |
FAQ
Qual o encapsulamento do BUZ344?
O BUZ344 possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ344?
A temperatura de operação do BUZ344 varia de -55°C a +150°C.
Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo BUZ344?
O BUZ344 suporta tensão Dreno-Fonte (Vds) de 600V e corrente de Dreno Contínua (Id) de 12A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20V.