Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de silício de alta velocidade, N Channel, para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tipo | N-Channel |
|---|---|
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Tensão Dreno | Source (Vds): 500 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 12 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±15 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.4 Ohm |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | Through-Hole |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Recursos
- Tempo de Comutação Rápido
- Baixa Carga de Gate
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BUZ341?
O BUZ341 é encapsulado em TO-220, um encapsulamento do tipo Through-Hole.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ341?
O BUZ341 opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +150°C.
Quais as características elétricas principais do BUZ341?
O BUZ341 é um Power MOSFET N-Channel com tensão Dreno-Source (Vds) de 500V, corrente de Dreno Contínua (Id) de 12A, tensão Gate-Source (Vgs) de ±15V, e resistência Dreno-Source (Rds(on)) de 0.4 Ohm. Ele é conhecido por seu tempo de comutação rápido e baixa carga de gate.