Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de silício de alta velocidade, N Channel, para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tipo de transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Tensão Drain | Source (Vds): 500 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±15 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.5 Ohm |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de operação | -55°C a +150°C |
| Tempo de subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de descida (tf) | 10 ns |
| Carga de Gate (Qg) | 30 nC |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 500 pF |
| Capacitância de saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de transferência reversa (Crss) | 20 pF |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BUZ32H?
O Infineon BUZ32H possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ32H?
O BUZ32H opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source do BUZ32H?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do BUZ32H é de 500 V.