Descrição
O Infineon BTS117TCBUMA1 é um MOSFET de canal N de alta corrente, projetado para aplicações de chaveamento e proteção de carga.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 15 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 50 mΩ (típico) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V (típico) |
| Encapsulamento | TO-263 (D2PAK) |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
Recursos
- Proteção contra sobretemperatura integrada
- Proteção contra sobrecorrente integrada
- Proteção contra subtensão integrada
- Baixa carga de gate
FAQ
Qual o encapsulamento do BTS117TCBUMA1?
O BTS117TCBUMA1 é encapsulado em TO-263 (D2PAK).
Quais as temperaturas de operação do BTS117TCBUMA1?
O BTS117TCBUMA1 opera entre -40 °C e 150 °C.
Quais as proteções integradas no BTS117TCBUMA1?
O BTS117TCBUMA1 possui proteção contra sobretemperatura, sobrecorrente e subtensão integradas.