Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 50A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TDSON 8. Ideal para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 50 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.4 mΩ a Vgs=10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Montagem | SMD |
| Temperatura de operação | -55°C a 150°C |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BSZ440N10NS3G?
O BSZ440N10NS3G utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSZ440N10NS3G?
O BSZ440N10NS3G opera em temperaturas de -55°C a 150°C.
O BSZ440N10NS3G possui proteção RoHS e é livre de halogênio?
Sim, o BSZ440N10NS3G é compatível com RoHS e é livre de halogênio.