Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de transistor | MOSFET de canal N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.6 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | SuperSO8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, conversores DC-DC |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no MOSFET BSTD1046?
O MOSFET BSTD1046 utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5.
Quais as aplicações típicas do BSTD1046?
As aplicações típicas do BSTD1046 incluem gerenciamento de energia, fontes de alimentação e conversores DC-DC.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSTD1046?
A temperatura de operação do BSTD1046 varia de -55 °C a 175 °C.