Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 10 A |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 15 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TS-2-1 (SuperSO8) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | SMD |
| Aplicações | Comutação de alta frequência, gerenciamento de energia automotivo, controle de motor |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BSS87H6327FTSA1?
O BSS87H6327FTSA1 possui encapsulamento SMD no package PG-TS-2-1 (SuperSO8).
Qual a faixa de temperatura de operação do BSS87H6327FTSA1?
A temperatura de operação do BSS87H6327FTSA1 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do BSS87H6327FTSA1?
O BSS87H6327FTSA1 é projetado para aplicações como comutação de alta frequência, gerenciamento de energia automotivo e controle de motor.