Descrição
Transistor MOSFET de canal P, de montagem em superfície, projetado para aplicações de chaveamento de sinal.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal P |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -50 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -1.2 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): -1.5 V (típico) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 1.2 Ohm @ Vgs = -10 V, Id = -1.2 A |
| Tecnologia | CoolMOS™ |
| Package | PG-SOT-23-3 |
| Montagem | SMD (Surface Mount Device) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | Transistor de Potência |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BSS84PH6327XTSA2?
O BSS84PH6327XTSA2 é encapsulado em um PG-SOT-23-3, um tipo de encapsulamento para transistor de potência.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSS84PH6327XTSA2?
O BSS84PH6327XTSA2 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do BSS84PH6327XTSA2?
O BSS84PH6327XTSA2 é um MOSFET de canal P com tensão Dreno-Fonte (Vds) de -50 V, corrente de Dreno contínua (Id) de -1.2 A, tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V e resistência Dreno-Fonte (Rds(on)) de 1.2 Ohm @ Vgs = -10 V, Id = -1.2 A. A tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) é de -1.5 V (típico).