Infineon BSS606N

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Infineon BSS606N: MOSFET de Canal N de Alta Performance

O Infineon BSS606N é um MOSFET de canal N de 60V e 2.3A, ideal para aplicações que exigem alta eficiência e baixo consumo de energia. Pertencente à família OptiMOS™ da Infineon, este transistor de potência oferece excelente desempenho em comutação rápida, tornando-o uma escolha confiável para projetos de eletrônica de potência.

Características Principais do BSS606N:

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
  • Corrente de Dreno (ID): 2.3A
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Baixa
  • Capacitância de Entrada (Ciss): Reduzida
  • Tempo de Comutação Rápido
  • Encapsulamento SOT-89-3

Aplicações do MOSFET Infineon BSS606N:

O BSS606N é um componente versátil, adequado para diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de Motor
  • Circuitos de Iluminação LED
  • Sistemas Automotivos
  • Gerenciamento de Bateria

Vantagens do Transistor BSS606N:

Este MOSFET da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior em relação a outros transistores de potência:

  • Alta Eficiência Energética: A baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) minimiza as perdas de energia, contribuindo para a eficiência geral do circuito.
  • Comutação Rápida: Os tempos de subida e descida rápidos reduzem as perdas de comutação e melhoram o desempenho em altas frequências.
  • Robustez e Confiabilidade: O BSS606N é projetado para suportar condições adversas, com recursos como proteção contra avalanche e capacidade de lidar com altas correntes.
  • Tamanho Compacto: O encapsulamento SOT-89-3 permite a integração em projetos com espaço limitado.

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