Infineon BSS139

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Transistor MOSFET Infineon BSS139: Alta Performance e Eficiência

Procurando por um transistor MOSFET de canal N com desempenho excepcional e confiabilidade incomparável? Apresentamos o Infineon BSS139, um componente eletrônico de alta qualidade que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações.

Especificações Técnicas do Infineon BSS139:

  • Tipo de Canal: N
  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 250V
  • Corrente de Dreno (ID): 100mA
  • Potência Dissipada (Ptot): 360mW
  • Resistência RDS(on): 14Ω @ VGS = 10V
  • Encapsulamento: SOT-23
  • Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

Características e Benefícios do BSS139:

O BSS139 é um transistor MOSFET de modo depleção que se destaca por suas características e vantagens, tornando-o ideal para diversas aplicações, como:

  • Baixa resistência RDS(on): garante menor perda de potência e maior eficiência energética.
  • Alta capacidade de comutação: permite o controle preciso de correntes em altas frequências.
  • Ampla faixa de temperatura de operação: garante confiabilidade em ambientes desafiadores.
  • Encapsulamento SOT-23: compacto e leve, ideal para projetos com espaço limitado.
  • Excelente relação custo-benefício: alta performance a um preço competitivo.

Aplicações do Transistor BSS139:

O transistor MOSFET Infineon BSS139 é um componente versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, incluindo:

  • Circuitos de comutação
  • Amplificadores de áudio
  • Fontes de alimentação
  • Controladores de motor
  • Dispositivos portáteis

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