Descrição
O Infineon BSP75NHUMA1 é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações automotivas e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 400 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 200 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 5 ns |
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSP75NHUMA1 pode suportar?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) suportada pelo BSP75NHUMA1 é de 60 V.
Em qual faixa de temperatura o BSP75NHUMA1 pode operar?
O BSP75NHUMA1 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 175 °C.
Quais são os valores típicos de capacitância do BSP75NHUMA1?
O BSP75NHUMA1 possui uma capacitância de entrada (Ciss) de 2000 pF, capacitância de saída (Coss) de 600 pF e capacitância de transferência (Crss) de 200 pF.