Descrição
O Infineon BSP373 é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.3 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 400 A |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| Certificação AEC | Q101 |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP373?
O Infineon BSP373 possui encapsulamento Halogen-free e utiliza o package PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP373?
O BSP373 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais as características elétricas principais do BSP373?
O BSP373 é um MOSFET de canal N com tensão Drain: Source (Vds) de 40 V, corrente Drain Contínua (Id) de 100 A e resistência Drain: Source (Rds(on)) de 3.3 mΩ a Vgs = 10 V. A tensão Gate: Source (Vgs) é ±20 V, e a tensão de limiar Gate: Source (Vgs(th)) é 2 V. A corrente de drain pulsada (Id,pulse) é 400 A. Ele é certificado AEC-Q101.