Descrição
O Infineon BSP320S é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia de semicondutor | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.2 mΩ a VGS = 10 V |
| Tensão Gate | Source (VGS): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (VGS(th)): 2.1 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Corrente de Drain pulsada (Id,pulse) | 400 A |
| Carga Gate total (Qg) | 60 nC |
| Eficiência energética | Alta |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, sistemas de 12V/24V |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP320S H6327?
O Infineon BSP320S H6327 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Quais as temperaturas de operação do BSP320S H6327?
O BSP320S H6327 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do Infineon BSP320S H6327?
O BSP320S H6327 é projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva, incluindo sistemas de 12V/24V.