Descrição
O Infineon BSP318SH6327XTSA1 é um MOSFET de canal N de alta eficiência em um encapsulamento SOT 23, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 6.5A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 15mΩ @ Vgs = 4.5V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 1.2V (típico) |
| Encapsulamento | PG-SOT-23-3 |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, comutação |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP318SH6327XTSA1?
O Infineon BSP318SH6327XTSA1 é encapsulado em PG-SOT-23-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP318SH6327XTSA1?
A temperatura de operação do BSP318SH6327XTSA1 varia de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do Infineon BSP318SH6327XTSA1?
O Infineon BSP318SH6327XTSA1 é projetado para aplicações de gerenciamento de energia e comutação.