Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| RoHS | Sim |
| AEC | Q101: Qualificado |
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) | 38 nC a Vgs = 10 V |
| Capacidade de Dreno (Coss) | 450 pF a Vds = 25 V |
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1?
O Infineon BSP296NH6327XTSA1 opera entre -40 °C e +150 °C.
Qual a tensão máxima que o BSP296NH6327XTSA1 suporta entre o dreno e a fonte (Vds)?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima do BSP296NH6327XTSA1 é de 60 V.
O Infineon BSP296NH6327XTSA1 é qualificado para uso automotivo?
Sim, o BSP296NH6327XTSA1 é qualificado AEC-Q101.