Infineon BSP295

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Infineon BSP295: MOSFET de Potência N-Channel para Aplicações Diversas

O BSP295 da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel em encapsulamento SOT-223, projetado para atender às demandas de uma variedade de aplicações, desde automotivas e industriais até eletrônicos de consumo. Com desempenho confiável e características elétricas robustas, este transistor MOSFET se destaca como uma solução eficiente e econômica para projetos que exigem alta performance.

Especificações Técnicas do Infineon BSP295:

  • Tensão Dreno-Source (VDSS): 60V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 1.8A
  • Corrente de Dreno Pulsada (ID puls): 7.2A
  • Resistência On-State (RDS(on)): 300mΩ (máx. a 10V)
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 295pF
  • Dissipação de Potência (Ptot): 1.8W
  • Temperatura de Operação (Tj): -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SOT-223

Características e Benefícios do BSP295:

O BSP295 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para diversas aplicações:

  • Baixa resistência RDS(on), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência energética.
  • Alta capacidade de corrente, permitindo o uso em aplicações de alta potência.
  • Ampla faixa de temperatura de operação, garantindo confiabilidade em ambientes desafiadores.
  • Encapsulamento SOT-223 compacto, ideal para projetos com restrições de espaço.
  • Conformidade com RoHS, atendendo aos requisitos de sustentabilidade ambiental.

Aplicações do Transistor MOSFET BSP295:

Este MOSFET de potência é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Controle de motor
  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Eletrônicos automotivos
  • Aplicações industriais

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