Descrição
O Infineon BSP295 é um transistor de efeito de campo (FET) de canal N, projetado para aplicações de chaveamento de alta corrente e baixa tensão.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 15 A |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5 mΩ (Vgs=10V, Id=15A) |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC (Vgs=10V) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V (Id=15A) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 60 A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 3.4 W (Tc=25°C) |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP295?
O Infineon BSP295 é encapsulado em PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP295?
O BSP295 opera em temperaturas de -55 °C a +150 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source do BSP295?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do BSP295 é de 30 V.