Descrição
O Infineon BSP171PH6327XTSA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.7 mΩ a VGS = 10 V |
| Tensão de Gate | Source (VGS): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Encapsulamento | Halogen free, RoHS compliant |
| Aplicações | Chaveamento de alta corrente, gerenciamento de bateria, eletrônica automotiva |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP171PH6327XTSA1?
O BSP171PH6327XTSA1 utiliza encapsulamento Halogen free e é compatível com RoHS.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP171PH6327XTSA1?
A temperatura de operação do BSP171PH6327XTSA1 varia de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon BSP171PH6327XTSA1?
As aplicações típicas do BSP171PH6327XTSA1 incluem chaveamento de alta corrente, gerenciamento de bateria e eletrônica automotiva.


