Infineon BSP171PH6327XTSA1

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O Infineon BSP171PH6327XTSA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.

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Descrição

O Infineon BSP171PH6327XTSA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.

Especificações

Tecnologia OptiMOS™ 5
Tipo de canal N
Tensão Drain Source (Vds): 60 V
Corrente de Drain contínua (Id) 100 A
Resistência Drain Source (RDS(on)): 3.7 mΩ a VGS = 10 V
Tensão de Gate Source (VGS): ±20 V
Package PG-TDSON-8
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Encapsulamento Halogen free, RoHS compliant
Aplicações Chaveamento de alta corrente, gerenciamento de bateria, eletrônica automotiva

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP171PH6327XTSA1?

O BSP171PH6327XTSA1 utiliza encapsulamento Halogen free e é compatível com RoHS.

Qual a faixa de temperatura de operação do BSP171PH6327XTSA1?

A temperatura de operação do BSP171PH6327XTSA1 varia de -40 °C a +150 °C.

Quais são as aplicações típicas do Infineon BSP171PH6327XTSA1?

As aplicações típicas do BSP171PH6327XTSA1 incluem chaveamento de alta corrente, gerenciamento de bateria e eletrônica automotiva.

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