Descrição
O Infineon BSP171P é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.2 mΩ a 4.5 Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Surface-Mount |
| Aplicações | Chaveamento de alta corrente, gerenciamento de bateria, eletrônica de potência automotiva |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP171P?
O Infineon BSP171P possui encapsulamento Surface-Mount em um package PG-TDSON-8.
Qual a temperatura de operação do BSP171P?
A temperatura de operação do Infineon BSP171P varia de -40 °C a 175 °C.
Quais as aplicações típicas do Infineon BSP171P?
O Infineon BSP171P é comumente utilizado em aplicações como chaveamento de alta corrente, gerenciamento de bateria e eletrônica de potência automotiva.