Descrição
O Infineon BSP149H6327XTSA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 15 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.8 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.1 V |
| Package | PG-TSDSON-8 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| Certificação automotiva | Sim (AEC-Q101) |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP149H6327XTSA1?
O BSP149H6327XTSA1 utiliza o encapsulamento PG-TSDSON-8 e é halogen-free.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP149H6327XTSA1?
O BSP149H6327XTSA1 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas e certificações do BSP149H6327XTSA1?
Este MOSFET é projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais e possui certificação automotiva AEC-Q101.