Descrição
O Infineon BSP149 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em baixa tensão.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 6.5 A |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 1.2 V (típico) |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 25 mΩ (típico) @ Vgs = 4.5 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±12 V |
| Encapsulamento | PG-SOT223 |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Corrente Pulsada de Drain (Id,pulse) | 26 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 270 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 30 pF (típico) |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP149?
O Infineon BSP149 é encapsulado em PG-SOT223.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP149?
O BSP149 opera em temperaturas de -55 °C a 150 °C.
Qual a tensão máxima Gate: Source (Vgs) que o BSP149 suporta?
A tensão Gate: Source (Vgs) do BSP149 é de ±12 V.