Descrição
O Infineon BSP135H6327XTSA1 é um MOSFET de canal N de alta performance em tecnologia OptiMOS™ 6. Ele é projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 6 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.3 mΩ a VGS = 10 V |
| Tensão Gate | Source (VGS): ±20 V |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de saída (Qoss)
- Baixa capacitância de entrada (Ciss)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
- Baixa capacitância reversa de transferência (Crss)
FAQ
Qual a temperatura de operação do BSP135H6327XTSA1?
O BSP135H6327XTSA1 opera em temperaturas entre -40 °C e +150 °C.
Qual a tensão máxima que o BSP135H6327XTSA1 suporta?
O BSP135H6327XTSA1 é um MOSFET com tensão Drain: Source (Vds) de 60 V e tensão Gate: Source (VGS) de ±20 V.
Em quais aplicações o BSP135H6327XTSA1 é tipicamente utilizado?
O BSP135H6327XTSA1 é projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos, utilizando a tecnologia OptiMOS™ 6.