Descrição
O Infineon BSP129H6327XTSA1 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente contínua de Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.8 mOhm a 10V VGS |
| Tensão de limiar Gate | Source (VGS(th)): 2.1 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| AEC | Q101 qualificado |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP129H6327XTSA1?
O Infineon BSP129H6327XTSA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8 e é halogen-free.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP129H6327XTSA1?
A temperatura de operação do BSP129H6327XTSA1 varia de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do Infineon BSP129H6327XTSA1 e qual sua tensão de Drain-Source?
O BSP129H6327XTSA1 é projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais. Sua tensão Drain-Source (Vds) é de 60 V.